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論文

Gamma-ray irradiation effects on cubic silicon carbide metal-oxide-semiconductor structure

吉川正人; 森田洋右; 伊藤久義; 梨山勇*; 三沢俊二*; 奥村元*; 吉田貞史*

Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV, p.393 - 398, 1992/00

3C-SiC MOS構造の照射効果を高周波C-V特性を用いて研究した。その結果、3C-SiC/SiO $_{2}$ 界面に界面準位が発生し酸化膜中に固定電荷が蓄積した。これらの量は照射中にMOS構造のゲートに印加されるバイアス極性に依存し、無バイアス及び正バイアスでは、吸収線量の2/3乗に比例して増加した。また負バイアスではまったく増加が認められなかった。この関係はSi-MOS構造の実験結果とよく一致するが、その発生量及び蓄積量はSi-MOS構造のそれよりもはるかに少なかった。

論文

Effects of gamma-ray irradiation on cubic silicon carbide metal-oxide-semiconductor structure

吉川正人; 伊藤久義; 森田洋右; 梨山勇*; 三沢俊司*; 奥村元*; 吉田貞史*

Journal of Applied Physics, 70(3), p.1309 - 1312, 1991/08

https://doi.org/10.1063/1.349587

被引用回数：38 パーセンタイル：85.12(Physics, Applied)

3C-SiC MOS構造の照射効果を高周波C-V特性を用いて研究した。その結果、3C-SiC/SiO $_{2}$ 界面に界面準位が発生し、酸化膜中に固定電荷が蓄積した。これらの量は照射中にMOS構造のゲートに印加されるバイアスの極性に依存し、無バイアス及び正バイアスでは、吸収線量の2/3乗に比例して増加した。この関係はSiMOS構造の実験結果とよく一致するが、その発生量及び蓄積量はSiMOS構造のそれらと比べてはるかに少なかった。